표 1. | Table 1. Silicon소자와 GaN HEMT소자의 전기적, 열적 물성 비교. 밴드갭 에너지(Eg), 전자 이동도(μs), 전자 포화 속도(Vs), 항복 전기장(EB), 기판의 열전도도(λs, GaN의 경우에는 SiC) | Comparison of electrical and thermal properties of silicon devices and GaN HEMT devices. Bandgap energy (Eg), electron mobility (μs), electron saturation rate (Vs), electric breakdown field (EB), thermal conductivity of the substrate (λs, SiC for GaN)[3]
| 소자 | Eg (eV) | μs (cm2/Vs) | Vs (x107 cm/s) | EB (x106 V/cm) | λs (W/mK) |
| Silicon | 1.11 | 1500 | 1.0 | 0.3 | 150 |
| GaN | 3.42 | 2000 | 2.7 | 3.3 | 380 |